一、引言

二、核心技術(shù)解析：LED 驅(qū)動(dòng) PCB EMC 的關(guān)鍵原理

2.1 EMC 干擾的核心來(lái)源

2.2 EMC 合規(guī)的核心控制邏輯

2.3 捷配 EMC 合規(guī)的工藝保障

三、實(shí)操方案：LED 驅(qū)動(dòng) PCB EMC 合規(guī)整改步驟

3.1 濾波電路設(shè)計(jì)：抑制傳導(dǎo)騷擾

• 操作要點(diǎn)：在電源輸入端、輸出端設(shè)置 EMI 濾波器，抑制傳導(dǎo)騷擾。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：輸入端采用 π 型濾波器（C1=0.1μF，C2=0.1μF，L=100μH），電容選用 X2 安規(guī)電容（耐電壓 275VAC，符合 IEC 60384-14 標(biāo)準(zhǔn)），電感選用共模電感（漏感≤5%）；輸出端設(shè)置差模濾波器（C=10μF，L=10μH），電容選用電解電容（耐電壓 50VDC，紋波電流≥2A）；濾波器靠近電源接口布局，引線長(zhǎng)度≤5cm，避免引線引入額外干擾。
• 工具 / 材料：濾波器選型參考捷配 EMC 濾波元件清單，推薦品牌為村田、TDK。

3.2 接地設(shè)計(jì)：切斷干擾傳播路徑

• 操作要點(diǎn)：采用 “單點(diǎn)接地 + 分區(qū)接地” 模式，避免地環(huán)路干擾。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：將 PCB 劃分為功率區(qū)（強(qiáng)電）、控制區(qū)（弱電）、信號(hào)區(qū)（敏感電路），三個(gè)區(qū)域分別設(shè)置獨(dú)立接地銅箔，最終匯聚于單點(diǎn)接地（接地電阻≤0.1Ω）；功率區(qū)接地銅箔寬度≥5mm，控制區(qū)接地銅箔寬度≥2mm，信號(hào)區(qū)接地銅箔寬度≥1mm；接地銅箔與電源線間距≥8mm，符合 “3W 原則”，避免電源干擾耦合至地。
• 工具 / 材料：設(shè)計(jì)軟件中設(shè)置接地銅箔優(yōu)先級(jí)，采用鋪銅而非導(dǎo)線接地，增強(qiáng)接地穩(wěn)定性。

3.3 布局優(yōu)化：降低干擾源強(qiáng)度

• 操作要點(diǎn)：優(yōu)化功率回路、控制回路布局，減小環(huán)路面積，避免干擾耦合。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：功率回路（開(kāi)關(guān)管 - 變壓器 - 整流橋）面積≤5cm²，導(dǎo)線長(zhǎng)度≤10cm，采用寬銅箔（≥3mm）降低阻抗；控制回路（PWM 芯片 - 光耦 - 采樣電阻）與功率回路間距≥10mm，敏感元件（光耦、采樣電阻）遠(yuǎn)離變壓器、開(kāi)關(guān)管等干擾源；變壓器采用屏蔽式封裝，與 PCB 板間距≥5mm，避免漏磁輻射。
• 工具 / 材料：變壓器選用臺(tái)達(dá)屏蔽式高頻變壓器（工作頻率 100kHz，漏感≤1μH），開(kāi)關(guān)管選用安森美 N 溝道 MOS 管（開(kāi)關(guān)頻率 500kHz，dv/dt≤50V/ns）。

3.4 屏蔽措施：抑制輻射騷擾

• 操作要點(diǎn)：對(duì)強(qiáng)干擾元件與敏感電路進(jìn)行屏蔽，減少輻射騷擾。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：變壓器、開(kāi)關(guān)管外部加裝金屬屏蔽罩（材質(zhì)為黃銅，厚度≥0.3mm），屏蔽罩接地電阻≤0.1Ω；PCB 邊緣預(yù)留屏蔽罩安裝孔（孔徑 2.5mm，間距 10mm），屏蔽罩與元件間距≥3mm，避免短路；對(duì)于輻射騷擾嚴(yán)重的產(chǎn)品，PCB 采用雙層屏蔽設(shè)計(jì)（內(nèi)層接地銅箔 + 外層屏蔽罩），輻射騷擾限值≤30dBμV/m（30MHz-1GHz）。
• 工具 / 材料：屏蔽罩選用捷配定制黃銅屏蔽罩，表面鍍錫處理，增強(qiáng)導(dǎo)電性與抗氧化能力。