沉銅厚度不足（<20μm），孔壁銅層薄，導(dǎo)通電阻大；

鉆孔后去鉆污不徹底，孔壁殘留樹脂，銅層與基材結(jié)合不良；

焊接溫度不當（過高導(dǎo)致銅層脫落，過低導(dǎo)致焊錫未熔）；

過孔受潮，銅層氧化，接觸電阻增大。

優(yōu)化沉銅工藝：確?；瘜W(xué)沉銅厚度 0.5-1μm，電解沉銅厚度 20-30μm，電流密度控制在 1-2A/dm2，溫度 25-30℃，避免電流過大導(dǎo)致銅層不均。沉銅后用金相顯微鏡檢查孔壁銅層，確保無漏鍍、無針孔。

徹底去鉆污：鉆孔后用堿性高錳酸鉀溶液（濃度 70g/L，溫度 75℃）處理 8 分鐘，去除孔壁樹脂殘留；處理后用清水沖洗 3 次，確保無藥液殘留。某廠商去鉆污時間僅 5 分鐘，調(diào)整至 8 分鐘后，過孔導(dǎo)通電阻從 120mΩ 降至 40mΩ。

控制焊接溫度：根據(jù)表面處理方式調(diào)整焊接溫度，噴錫板焊接溫度 240-250℃，沉金板 230-240℃，焊接時間 3-5 秒，避免溫度過高（>260℃）導(dǎo)致過孔銅層脫落。

防潮處理：PCB 存儲環(huán)境濕度控制在 40%-60%，若長期存儲（>3 個月），用真空包裝并放入干燥劑；應(yīng)用時在過孔密集區(qū)域涂覆三防漆（厚度 15-20μm），防止受潮氧化。

沉銅后 100% 檢測過孔導(dǎo)通電阻，不合格品立即返工；

鉆孔與沉銅間隔時間不超過 24 小時，避免孔壁氧化；

選擇高可靠性的沉銅藥水（如酸性沉銅藥水，比堿性藥水結(jié)合更緊密）。

蝕刻后清洗不徹底，殘留蝕刻液（如氯化鐵），腐蝕銅箔；

表面處理不當（如 OSP 層厚度 < 0.5μm），銅箔易氧化；

應(yīng)用環(huán)境潮濕、有腐蝕性氣體（如工業(yè)場景的油污、農(nóng)業(yè)場景的農(nóng)藥），線路長期暴露；

阻焊層脫落，線路無絕緣保護，與其他金屬接觸短路。

徹底清洗蝕刻殘留：蝕刻后用清水沖洗 3 次，再用 5% 碳酸鈉溶液中和 2 分鐘，最后用去離子水沖洗，確保 pH 值 7±0.5；清洗后放入烘箱（80℃，30 分鐘）干燥，避免水分殘留。

優(yōu)化表面處理：潮濕 / 腐蝕環(huán)境選擇沉金（金層≥2μm）或鍍鎳（鎳層≥20μm），避免 OSP；沉金后測試鹽霧性能（96 小時無腐蝕），確保耐腐蝕性。某農(nóng)業(yè)設(shè)備廠商將 OSP 處理改為沉金，線路腐蝕率從 8% 降至 0.5%。

修復(fù)阻焊層：若阻焊層局部脫落，用同型號阻焊油墨修補，固化溫度 150℃，時間 60 分鐘；大面積脫落需重新涂覆阻焊層。

應(yīng)用環(huán)境防護：戶外或腐蝕環(huán)境的 PCB 涂覆三防漆（如丙烯酸型，厚度 20-30μm），或裝入防水外殼（IP65 等級），避免線路暴露。

蝕刻后 100% 檢測清洗效果，用 pH 試紙測試表面酸堿度；

阻焊層厚度控制在 15-25μm，附著力≥5N/cm；

根據(jù)應(yīng)用環(huán)境選擇合適的表面處理與防護措施，避免 “一刀切”。

絲印前 PCB 表面清潔不徹底，有油污、灰塵，阻焊油墨附著力不足；

預(yù)烤溫度過低（<70℃）或時間過短（<30 分鐘），油墨未初步固化；

固化溫度過低（<150℃）或時間過短（<60 分鐘），油墨未完全交聯(lián)；

阻焊油墨質(zhì)量差（如過期、配比不當），附著力差。

徹底清潔 PCB 表面：絲印前用異丙醇擦拭 PCB，去除油污、灰塵；若表面有氧化，用細砂紙輕輕打磨，確保銅箔表面粗糙度 Ra=0.2-0.4μm，提升附著力。

優(yōu)化預(yù)烤與固化參數(shù)：預(yù)烤溫度 70-80℃，時間 30-60 分鐘；固化溫度 150-160℃，時間 60-90 分鐘，根據(jù)油墨型號調(diào)整（參考油墨 datasheet）。某廠商將預(yù)烤溫度升至 75℃，時間 40 分鐘，固化溫度 155℃，時間 70 分鐘，阻焊層起泡率從 10% 降至 0.1%。

更換優(yōu)質(zhì)阻焊油墨：選擇正規(guī)廠商的阻焊油墨（如太陽油墨、廣信油墨），使用前檢查保質(zhì)期，按比例調(diào)配（通常主劑：固化劑 = 10:1），攪拌均勻。

修復(fù)脫落區(qū)域：小面積脫落用同型號油墨修補，大面積脫落需退膜（用退膜液去除舊油墨）后重新絲印、固化。

絲印前檢查 PCB 表面清潔度，用膠帶測試附著力（膠帶剝離無油墨殘留）；

每批次油墨進行小樣測試，驗證固化參數(shù)與附著力；

存儲油墨時避免高溫、陽光直射，保質(zhì)期內(nèi)使用。

接地設(shè)計不當（如接地環(huán)路、接地阻抗高），無法有效抑制干擾；

電源與信號線路間距過小（<0.5mm），電源噪聲耦合到信號；

關(guān)鍵信號（如晶振）線路過長（>3cm），輻射增強；

缺乏濾波措施，電源噪聲未被抑制。

優(yōu)化接地設(shè)計：采用單點接地（低頻信號）或多點接地（高頻信號），地線寬度≥0.8mm，接地阻抗 < 0.1Ω；避免接地環(huán)路，AGND 與 DGND 通過 0.01μF 電容或 0Ω 電阻單點連接。某廠商調(diào)整接地設(shè)計后，EMI 輻射值降至 - 50dBμV/m，達標。

增加線路間距：電源線路與信號線路間距≥0.5mm，關(guān)鍵信號（晶振、傳感器）線路間距≥0.8mm，減少串擾。

縮短關(guān)鍵信號線路：晶振線路長度≤3cm，傳感器模擬信號線路≤5cm；線路過長時增加屏蔽（如地線包裹），或使用屏蔽電纜。

增加濾波措施：電源入口并聯(lián) 100μF 電解電容與 0.1μF 陶瓷電容，MCU、傳感器等元件 VCC 引腳旁布置 0.1μF 陶瓷電容，電容靠近引腳（間距 < 0.5mm）。某廠商在電源入口增加濾波電容后，電源噪聲從 200mV 降至 50mV，EMI 達標。

設(shè)計階段用仿真軟件（如 Ansys SIwave）模擬 EMI，提前優(yōu)化；

關(guān)鍵信號線路按 “最短路徑” 設(shè)計，避免繞彎；

批量生產(chǎn)前制作樣品，測試 EMI，達標后再量產(chǎn)。