1. 引言

 跨頻段高頻PCB（10G~100GHz）的布局設(shè)計(jì)中，仿真與實(shí)測偏差常導(dǎo)致設(shè)計(jì)反復(fù)——行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，未校準(zhǔn)的仿真會使阻抗偏差超15%，某射頻廠商曾因偏差問題導(dǎo)致3次設(shè)計(jì)迭代，延誤項(xiàng)目2個月。高頻PCB需符合**IPC-2581（高速設(shè)計(jì)文件標(biāo)準(zhǔn)）第8.4條款**，仿真與實(shí)測的阻抗偏差需≤±5%，且需滿足**IEC 61189-3第7.2條款**測試要求。捷配累計(jì)完成500+跨頻段PCB校準(zhǔn)項(xiàng)目，仿真實(shí)測偏差控制在±3%內(nèi)，本文拆解10G~100GHz頻段仿真與實(shí)測的校準(zhǔn)方法，助力提升設(shè)計(jì)效率。

2. 核心技術(shù)解析

3. 實(shí)操方案

3.1 仿真與實(shí)測校準(zhǔn)四步法（操作要點(diǎn) + 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn) + 工具 / 材料）

1. 基材 εr 校準(zhǔn)：① 取樣實(shí)測：從量產(chǎn)基材中取 10mm×10mm 樣品，用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（JPE-VNA-1100）測試 10G~100GHz εr，取平均值（如 RO4350B 實(shí)測 εr=4.25）；② 仿真調(diào)整：在 HyperLynx 中將基材 εr 從 4.4 改為 4.25，重新仿真阻抗，偏差需≤±3%；
2. 銅箔 Ra 校準(zhǔn)：① 實(shí)測 Ra：用原子力顯微鏡（JPE-AFM-300）測試銅箔 Ra（如實(shí)測 0.25μm）；② 模型修正：在 CST 仿真中添加 Ra=0.25μm 的銅箔粗糙度模型，重新計(jì)算插入損耗，與實(shí)測偏差需≤0.3dB（100GHz）；
3. 過孔參數(shù)校準(zhǔn)：① 實(shí)測 S 參數(shù)：制作過孔測試樣品（孔徑 0.2mm，反焊盤 0.8mm），測試 10G~100GHz S 參數(shù)；② 反推寄生：用 ADS 軟件將實(shí)測 S 參數(shù)反推為過孔寄生電感（如 0.5nH）、電容（0.2pF），更新仿真模型；
4. 全局驗(yàn)證：① 布局仿真：用校準(zhǔn)后的參數(shù)仿真完整 PCB 布局（如 100GHz 毫米波雷達(dá) PCB）；② 實(shí)測對比：制作樣品測試阻抗、插入損耗，仿真與實(shí)測偏差需≤±5%（阻抗）、≤0.5dB（插入損耗）。

3.2 量產(chǎn)校準(zhǔn)管控（操作要點(diǎn) + 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn) + 工具 / 材料）

1. 批次校準(zhǔn)：每批次基材到貨后，抽檢 5 片測試 εr，銅箔每 10 批次測試 1 次 Ra，更新仿真參數(shù)庫，確保批次一致性；
2. 設(shè)備校準(zhǔn)：矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（JPE-VNA-1100）每季度用標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)件（如 Keysight 85052D）校準(zhǔn)，誤差≤±0.1dB；
3. 人員培訓(xùn)：捷配提供高頻校準(zhǔn)培訓(xùn)，工程師需掌握 εr、Ra、過孔參數(shù)的實(shí)測與仿真調(diào)整方法，考核合格后方可上崗。