要點(diǎn)一：選對(duì)電源方案，平衡紋波與效率

• LDO 適合低紋波場(chǎng)景：如模擬信號(hào)采集、高頻通信的 MCU（如 STM32H7），LDO 輸出紋波?。▋?yōu)質(zhì) LDO≤15mV，如 TI TPS799），不會(huì)干擾 MCU 的敏感電路（如 ADC、射頻模塊），但效率低（輸入輸出壓差大時(shí)效率≤50%），適合小電流（≤500mA）。某溫度采集 MCU PCB 用 LDO 供電，ADC 采集誤差從 ±0.5% 降至 ±0.1%，若換 DC-DC，紋波會(huì)導(dǎo)致誤差擴(kuò)大至 ±2%；
• DC-DC 適合高效率場(chǎng)景：如電池供電、大電流的 MCU（如 STM32F4，電流≥1A），DC-DC 效率高（≥85%，如 TI TPS5430），能延長(zhǎng)電池續(xù)航，但紋波大（通常 50-100mV），需加額外濾波電路。某無線傳感器 MCU PCB 用 DC-DC 供電，效率從 LDO 的 40% 提升至 88%，電池續(xù)航從 2 個(gè)月延長(zhǎng)至 5 個(gè)月，配合兩級(jí)濾波后紋波降至 20mV，不影響 MCU 工作。

要點(diǎn)二：控制電源紋波，濾除高頻與低頻噪聲

• 輸入濾波：在電源入口（如 DC 插座、電池接口）加 10-100μF 鉭電容（濾低頻噪聲）+0.1μF MLCC 電容（濾高頻噪聲），電容要靠近電源入口，接地線短（≤1cm），避免噪聲進(jìn)入后續(xù)電路。某 MCU PCB 未加輸入濾波，電池供電時(shí)紋波達(dá) 150mV，加濾波后降至 30mV；
• 輸出濾波：LDO/DC-DC 的輸出端加 22μF 鉭電容 + 0.1μF MLCC 電容，且電容要靠近輸出引腳，若 MCU 對(duì)紋波要求極高（如射頻 MCU），可再加一個(gè) 10μH 電感，組成 LC 濾波電路（截止頻率≤10kHz），紋波可進(jìn)一步降至 5mV 以下。某藍(lán)牙 MCU PCB，輸出端加 LC 濾波后，射頻信號(hào)的雜波抑制率從 30dB 提升至 50dB，通信距離延長(zhǎng) 20%；
• 避免電源線路 “共享”：MCU 的電源線路與功率元件（如電機(jī)、LED 驅(qū)動(dòng)）的電源線路分開，不共用同一導(dǎo)線，防止功率元件的大電流導(dǎo)致 MCU 電源壓降。某電機(jī)控制 MCU PCB，曾共用電源線路，電機(jī)啟動(dòng)時(shí) MCU 電源壓降達(dá) 0.5V，單獨(dú)布線后壓降降至 0.1V，MCU 不再?gòu)?fù)位。

要點(diǎn)三：去耦電容 “緊貼引腳”，給 MCU “就近補(bǔ)能”

• 去耦電容的 “數(shù)量與容量”：MCU 的每個(gè)電源引腳（如 VDD、VDDIO）旁都要放 1 個(gè) 0.1μF MLCC 電容（高頻去耦），若 MCU 有多個(gè)電源引腳（如 STM32H7 有 VDD、VDD1、VDD2），每個(gè)引腳都需單獨(dú)配置；PCB 上還需加 1 個(gè) 10-22μF 鉭電容（低頻去耦），放在 MCU 附近（≤3cm），應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的瞬時(shí)電流需求；
• 去耦電容的 “布局關(guān)鍵”：必須 “緊貼 MCU 電源引腳”，電容的一端連 MCU 電源引腳，另一端通過最短路徑（≤0.5cm）連到 MCU 接地引腳或接地平面，避免導(dǎo)線的電感導(dǎo)致去耦失效。某 MCU PCB 將去耦電容放在離電源引腳 5cm 處，喚醒時(shí)電壓塌陷達(dá) 0.3V，緊貼引腳后塌陷降至 0.05V，MCU 工作穩(wěn)定；
• 去耦電容的 “材質(zhì)選擇”：MLCC 電容選 X7R 材質(zhì)（溫度穩(wěn)定性好，容量偏差 ±15%），避免用 Y5V 材質(zhì)（容量偏差 ±20%，溫度變化大時(shí)容量驟降），鉭電容選 AVX 或 KEMET 等品牌，避免劣質(zhì)電容漏電導(dǎo)致電源異常。