1. 引言

 5G、毫米波雷達(dá)等高頻場(chǎng)景（24GHz+）中，PCB內(nèi)層銅厚對(duì)信號(hào)完整性的影響被放大——趨膚效應(yīng)導(dǎo)致高頻信號(hào)僅在銅箔表面0.5μm~2μm傳輸，若內(nèi)層銅厚過(guò)厚（如3oz），不僅無(wú)法提升信號(hào)質(zhì)量，還會(huì)增加信號(hào)衰減（超30%）；某5G模塊廠商曾因內(nèi)層銅厚選用2oz（實(shí)際需1oz），導(dǎo)致模塊接收靈敏度下降5dB，無(wú)法滿足通信標(biāo)準(zhǔn)。捷配高頻PCB團(tuán)隊(duì)深耕6年，累計(jì)交付80萬(wàn)+片24GHz~60GHz高頻PCB，本文拆解趨膚效應(yīng)下內(nèi)層銅厚的選型邏輯、優(yōu)化方法及驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，助力解決高頻信號(hào)衰減問(wèn)題。

2. 核心技術(shù)解析

3. 實(shí)操方案

3.2 高頻內(nèi)層銅厚優(yōu)化四步法

1. 頻段匹配選型：
   • 24GHz~30GHz 頻段：選 0.5oz~1oz 內(nèi)層銅厚（覆蓋 3 倍趨膚深度 0.8μm×3=2.4μm），優(yōu)先用高延展性電解銅箔（延伸率≥15%），符合IPC-4562（電解銅箔標(biāo)準(zhǔn)）Class A；
   • 30GHz~60GHz 頻段：選 0.5oz 內(nèi)層銅厚（1.7μm，覆蓋 3 倍趨膚深度 0.6μm×3=1.8μm），選用羅杰斯 RO4350B 基材（介電常數(shù) 4.4±0.05），確保銅厚與基材結(jié)合力≥1.2N/mm（按 IPC-TM-650 2.4.8 測(cè)試）；
2. 工藝優(yōu)化措施：
   • 銅箔預(yù)處理：采用 “微蝕刻” 工藝（蝕刻深度 0.1μm~0.2μm），降低銅箔表面粗糙度（Ra≤0.3μm），減少信號(hào)散射損耗，捷配蝕刻生產(chǎn)線（JPE-Etch-800）配備粗糙度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；
   • 壓合控制：壓合溫度 180℃±3℃，壓力 28kg/cm²，保溫時(shí)間 90min，避免銅箔因壓力不均導(dǎo)致厚度偏差，同板銅厚偏差需≤±5%；
3. 信號(hào)驗(yàn)證：
   • 損耗測(cè)試：用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（JPE-VNA-900）測(cè)試插入損耗，24GHz 頻段 1oz 銅厚 PCB 插入損耗需≤0.8dB/inch，符合IPC-2141 Class 1 標(biāo)準(zhǔn)；
   • 阻抗測(cè)試：內(nèi)層傳輸線阻抗偏差需≤±3%（如 50Ω 阻抗控制在 48.5Ω~51.5Ω），用阻抗測(cè)試儀（JPE-Imp-600）全檢。