HDI技術(shù)如何支撐5G手機(jī)高速傳輸需求?
來(lái)源:捷配
時(shí)間: 2026/01/13 10:06:06
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Q:5G 手機(jī)對(duì)信號(hào)傳輸要求極高,HDI 技術(shù)是怎么保障信號(hào)質(zhì)量的?
A:5G 信號(hào)的毫米波頻段(28GHz)對(duì)傳輸損耗非常敏感,HDI 技術(shù)通過(guò)三大設(shè)計(jì)保障信號(hào)質(zhì)量。首先是低損耗材料選擇,表層采用 Dk=3.6 的低損耗基材,介質(zhì)損耗角正切控制在 0.002 以下,比傳統(tǒng)材料降低 60%;其次是阻抗精準(zhǔn)控制,單端阻抗控制在 50Ω±10%,差分阻抗 90/100Ω,避免信號(hào)反射;最后是優(yōu)化接地設(shè)計(jì),6 層 HDI 板采用 “頂層 - 地 - 信號(hào) - 信號(hào) - 地 - 底層” 結(jié)構(gòu),讓 5G 信號(hào)被接地層包裹,串?dāng)_從 - 55dB 降至 - 70dB,完全不干擾其他信號(hào)。
A:5G 信號(hào)的毫米波頻段(28GHz)對(duì)傳輸損耗非常敏感,HDI 技術(shù)通過(guò)三大設(shè)計(jì)保障信號(hào)質(zhì)量。首先是低損耗材料選擇,表層采用 Dk=3.6 的低損耗基材,介質(zhì)損耗角正切控制在 0.002 以下,比傳統(tǒng)材料降低 60%;其次是阻抗精準(zhǔn)控制,單端阻抗控制在 50Ω±10%,差分阻抗 90/100Ω,避免信號(hào)反射;最后是優(yōu)化接地設(shè)計(jì),6 層 HDI 板采用 “頂層 - 地 - 信號(hào) - 信號(hào) - 地 - 底層” 結(jié)構(gòu),讓 5G 信號(hào)被接地層包裹,串?dāng)_從 - 55dB 降至 - 70dB,完全不干擾其他信號(hào)。

Q:HDI 技術(shù)在信號(hào)傳輸上比傳統(tǒng) PCB 強(qiáng)多少?有具體數(shù)據(jù)支撐嗎?
A:差距非常明顯,有實(shí)打?qū)嵉臏y(cè)試數(shù)據(jù)。傳統(tǒng) PCB 的信號(hào)反射損耗約為 - 22dB,而 HDI 板能提升至 - 28dB,眼圖張開(kāi)度增加 20%,意味著信號(hào)完整性大幅提升。在傳輸距離上,HDI 設(shè)計(jì)的 5G 天線比傳統(tǒng) PCB 信號(hào)傳輸距離增加 15%,弱信號(hào)環(huán)境下掉話率降低 30%。某 5G 手機(jī)測(cè)試顯示,采用 HDI 板材的射頻部分,下載速率比普通板材提升 10%,掉線率控制在 0.3% 以下。對(duì)于用戶來(lái)說(shuō),最直觀的感受就是 5G 網(wǎng)絡(luò)更穩(wěn)定,下載大文件更快,視頻通話不卡頓。
A:差距非常明顯,有實(shí)打?qū)嵉臏y(cè)試數(shù)據(jù)。傳統(tǒng) PCB 的信號(hào)反射損耗約為 - 22dB,而 HDI 板能提升至 - 28dB,眼圖張開(kāi)度增加 20%,意味著信號(hào)完整性大幅提升。在傳輸距離上,HDI 設(shè)計(jì)的 5G 天線比傳統(tǒng) PCB 信號(hào)傳輸距離增加 15%,弱信號(hào)環(huán)境下掉話率降低 30%。某 5G 手機(jī)測(cè)試顯示,采用 HDI 板材的射頻部分,下載速率比普通板材提升 10%,掉線率控制在 0.3% 以下。對(duì)于用戶來(lái)說(shuō),最直觀的感受就是 5G 網(wǎng)絡(luò)更穩(wěn)定,下載大文件更快,視頻通話不卡頓。
Q:高速數(shù)據(jù)傳輸會(huì)帶來(lái)發(fā)熱問(wèn)題,HDI 技術(shù)能解決嗎?
A:確實(shí)能有效緩解。高密度集成必然導(dǎo)致熱量集中,HDI 技術(shù)從兩方面應(yīng)對(duì):一是板材本身的熱傳導(dǎo)效率比傳統(tǒng) PCB 提升 30%,能快速將處理器、射頻模塊產(chǎn)生的熱量分散到整個(gè)基板;二是電源層設(shè)計(jì)優(yōu)化,采用 2oz 厚銅箔(70μm)和密集埋孔(每 cm²8 個(gè)),讓電流密度控制在 3A/mm² 以內(nèi),避免局部過(guò)熱。測(cè)試顯示,HDI 設(shè)計(jì)的充電模塊在 20W 快充時(shí),溫升從 65℃降至 60℃;處理器滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí),核心區(qū)域溫度降低 2-3℃,有效避免了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能降頻。
A:確實(shí)能有效緩解。高密度集成必然導(dǎo)致熱量集中,HDI 技術(shù)從兩方面應(yīng)對(duì):一是板材本身的熱傳導(dǎo)效率比傳統(tǒng) PCB 提升 30%,能快速將處理器、射頻模塊產(chǎn)生的熱量分散到整個(gè)基板;二是電源層設(shè)計(jì)優(yōu)化,采用 2oz 厚銅箔(70μm)和密集埋孔(每 cm²8 個(gè)),讓電流密度控制在 3A/mm² 以內(nèi),避免局部過(guò)熱。測(cè)試顯示,HDI 設(shè)計(jì)的充電模塊在 20W 快充時(shí),溫升從 65℃降至 60℃;處理器滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí),核心區(qū)域溫度降低 2-3℃,有效避免了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能降頻。
Q:未來(lái) 6G 時(shí)代,HDI 技術(shù)還能滿足更高的傳輸需求嗎?
A:完全可以,而且 HDI 技術(shù)本身也在持續(xù)進(jìn)化。6G 信號(hào)傳輸速率將是 5G 的 10-100 倍,對(duì) PCB 的要求會(huì)更高,而 HDI 技術(shù)正在向更精細(xì)、更多層、更低損耗方向發(fā)展。目前行業(yè)已經(jīng)在研發(fā) 0.05mm 的超微盲孔和 20μm/20μm 的超細(xì)線路,多層 HDI 板已經(jīng)突破 12 層,未來(lái)還會(huì)采用更先進(jìn)的低損耗基材和埋入式元件技術(shù)。通過(guò)持續(xù)優(yōu)化疊層結(jié)構(gòu)和工藝,HDI 技術(shù)能夠支撐 6G 時(shí)代的高速傳輸、低延遲需求,成為下一代智能手機(jī)的核心技術(shù)支撐。
A:完全可以,而且 HDI 技術(shù)本身也在持續(xù)進(jìn)化。6G 信號(hào)傳輸速率將是 5G 的 10-100 倍,對(duì) PCB 的要求會(huì)更高,而 HDI 技術(shù)正在向更精細(xì)、更多層、更低損耗方向發(fā)展。目前行業(yè)已經(jīng)在研發(fā) 0.05mm 的超微盲孔和 20μm/20μm 的超細(xì)線路,多層 HDI 板已經(jīng)突破 12 層,未來(lái)還會(huì)采用更先進(jìn)的低損耗基材和埋入式元件技術(shù)。通過(guò)持續(xù)優(yōu)化疊層結(jié)構(gòu)和工藝,HDI 技術(shù)能夠支撐 6G 時(shí)代的高速傳輸、低延遲需求,成為下一代智能手機(jī)的核心技術(shù)支撐。

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