一、引言

二、無氰蝕刻工藝的優(yōu)勢與原理

2.1 無氰蝕刻液的技術(shù)突破

• 環(huán)保性：不含氰化物（檢測值＜0.1mg/L），VOC 排放≤8mg/m³，符合 GB 21900-2020 標(biāo)準(zhǔn)；
• 蝕刻性能：蝕刻速率 22-26μm/min（與傳統(tǒng)工藝相當(dāng)），側(cè)蝕量≤0.007mm，蝕刻均勻性 ±7%；
• 穩(wěn)定性：使用壽命達(dá) 8 小時(shí)（傳統(tǒng)工藝 6 小時(shí)），Cu²+ 濃度耐受范圍 160-240g/L，減少補(bǔ)液頻次。

2.2 無氰蝕刻的反應(yīng)機(jī)理

2.3 量產(chǎn)落地的核心技術(shù)支撐

• 速率優(yōu)化：添加催化劑（羥基乙酸，濃度 5-8g/L），蝕刻速率提升 15%，達(dá)到傳統(tǒng)工藝水平；
• 成本控制：自主研發(fā)蝕刻液配方，原料成本降低 20%，且使用壽命延長 33%；
• 回收系統(tǒng)：配套電解回收設(shè)備，銅離子回收率 95%，回收銅純度≥99.9%，可循環(huán)利用于 PCB 生產(chǎn)。

三、無氰蝕刻量產(chǎn)全流程步驟

3.1 蝕刻液配置與校準(zhǔn)

• 操作要點(diǎn)：按比例混合原料，精準(zhǔn)控制濃度與 pH 值，確保蝕刻性能穩(wěn)定。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：
  1. 配方比例：氨基磺酸 120-150g/L、硫酸銅 80-100g/L、羥基乙酸 5-8g/L、穩(wěn)定劑 2-3g/L；
  2. 關(guān)鍵參數(shù)：pH 值 4.5-5.5，溫度 42-46℃，比重 1.20-1.25g/cm³；
  3. 校準(zhǔn)頻率：每 2 小時(shí)檢測一次 pH 值與 Cu²+ 濃度，偏差超 ±5% 時(shí)自動補(bǔ)加原料。
• 工具 / 材料：捷配定制蝕刻液調(diào)配罐、pH 計(jì)、Cu²+ 濃度檢測儀、環(huán)保原料。

3.2 蝕刻工藝參數(shù)優(yōu)化

• 操作要點(diǎn)：匹配無氰蝕刻液特性，調(diào)整噴淋壓力、蝕刻時(shí)間，確保均勻性與速率平衡。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：
  1. 噴淋壓力：0.28-0.32MPa（上下噴嘴壓力一致），噴嘴間距 5mm，噴淋覆蓋率 100%；
  2. 蝕刻時(shí)間：根據(jù)銅厚調(diào)整（1oz 銅厚對應(yīng) 65-75 秒，2oz 銅厚對應(yīng) 120-130 秒）；
  3. 蝕刻效果：線寬公差 ±0.01mm，側(cè)蝕量≤0.007mm，蝕刻因子≥4.2，符合 IPC-2221 標(biāo)準(zhǔn)。
• 工具 / 材料：宇宙蝕刻線（改造適配無氰蝕刻液）、在線壓力監(jiān)測儀。

3.3 蝕刻液回收與循環(huán)利用

• 操作要點(diǎn)：通過電解法回收銅離子，處理后蝕刻液循環(huán)使用，減少危廢產(chǎn)生。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：
  1. 電解回收：電解電流密度 200-250A/m²，電解溫度 50-55℃，銅回收率≥95%，回收銅純度≥99.9%；
  2. 廢液處理：處理后廢液 Cu²+ 濃度≤5mg/L，COD≤100mg/L，符合 GB 21900-2020 排放標(biāo)準(zhǔn)；
  3. 循環(huán)次數(shù)：蝕刻液可循環(huán)使用 5 次，單次補(bǔ)充量≤20%。
• 工具 / 材料：捷配定制電解回收設(shè)備、廢液處理系統(tǒng)、過濾裝置。

3.4 后處理與環(huán)保檢測

• 操作要點(diǎn)：確保產(chǎn)品性能達(dá)標(biāo)，同時(shí)完成環(huán)保指標(biāo)檢測。
• 數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)：
  1. 產(chǎn)品檢測：線寬一致性 ±0.01mm，剝離強(qiáng)度≥1.6N/mm，絕緣電阻≥10¹²Ω；
  2. 環(huán)保檢測：VOC 排放≤8mg/m³，危廢產(chǎn)生量≤1.5 噸 / 1000㎡PCB，重金屬排放達(dá)標(biāo)（Cu²+≤0.5mg/L）。
• 工具 / 材料：絕緣電阻測試儀、VOC 檢測儀、第三方環(huán)保檢測報(bào)告。