
超高熱導率:氮化鋁陶瓷的熱導率高達180W/(mK)左右,遠高于傳統(tǒng)的玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂基板,也比氧化鋁陶瓷基板的熱導率高很多。這使得氮化鋁陶瓷基板能快速將電子元件產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去,有效降低元件溫度,提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。
熱膨脹系數(shù)匹配:其熱膨脹系數(shù)與碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)及硅(Si)等半導體材料極為接近,可優(yōu)化與這些材料間的機械粘結(jié)及長期熱穩(wěn)定性,減少因熱膨脹不匹配而產(chǎn)生的應力,避免芯片與基板之間的連接出現(xiàn)開裂等問題。
高電氣性能:氮化鋁陶瓷具有良好的絕緣性能,介電常數(shù)在1MHz時約為9.0,介電損耗很低,小于10負三次方,絕緣電阻大于10十四次方Ωcm,介電強度大于19MV/m,能確保在高頻、高壓環(huán)境下電路的穩(wěn)定運行,減少信號干擾和能量損耗。
高強度與化學穩(wěn)定性:氮化鋁陶瓷具有高強度、高硬度,其抗彎強度可達300MPa左右,能承受一定的機械應力和沖擊。同時,它還具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性,耐腐蝕,不易受酸、堿等化學物質(zhì)的侵蝕,適合在惡劣的環(huán)境中使用。
制備工藝
高溫共燒工藝:制造氮化鋁高溫共燒多層基板(HTCC)時,先在AlN粉中加入燒結(jié)助劑、添加劑等混合制成陶瓷漿料,通過流延成型得到AlN生瓷片。然后將預先設(shè)計好的電路通過打孔、填空、印刷等方式用金屬漿料制作到生瓷片上,再經(jīng)過疊層、高溫燒結(jié)等工藝制成高導熱高密度的陶瓷基板。由于AlN陶瓷需要在1600℃以上的高溫燒成,一般采用鎢(W)、鉬(Mo)等高熔點金屬作為共燒導體,后續(xù)還需在表層鍍鎳鈀金以增加焊接能力。
多芯片組件(MCM):AlN熱膨脹系數(shù)與硅接近,力學強度高,熱導率高、熱阻低,是功率MCM首選的基板材料和封裝材料。使用AlN做基板的MCM可靠性高,所構(gòu)成的組件往往可以不使用散熱片或其他冷卻結(jié)構(gòu),從而降低成本,減輕重量。
LED封裝:高功率LED芯片在工作時會產(chǎn)生大量熱量,氮化鋁陶瓷基板的高導熱性能可以有效地將熱量散發(fā)出去,提高LED的發(fā)光效率和使用壽命,同時其良好的電氣性能也有助于保證LED的穩(wěn)定工作。
光通信封裝:在光通信領(lǐng)域,隨著傳輸速率的不斷提高,對封裝材料的散熱性能和電氣性能要求也越來越高。氮化鋁陶瓷基板能夠滿足這些要求,可用于光模塊、激光器等光通信器件的封裝。
MEMS封裝:在MEMS系統(tǒng)中,各部分之間結(jié)構(gòu)緊密,電路部分發(fā)熱量較大,機械運動部分又比較脆弱。氮化鋁陶瓷制作的高密度封裝用多層布線共燒陶瓷基板能夠滿足MEMS對封裝的要求,提供有效的保護措施和良好的信號傳輸。
板材類型:陶瓷板
板材層數(shù):4層
板材厚度:1.2mm
表面處理:化學沉金
最小線寬/線距:40mil/40mil
板材類型:陶瓷板
板材層數(shù):2層
板材厚度:0.25mm
表面處理:鍍金
板材類型:陶瓷板
板材層數(shù):2層
板材厚度:1.0mm
表面處理:硬金
最小線寬/線距:5mil
材料:陶瓷
板厚:1.6mm
最小線距/線寬:3/3mil
表面處理:沉浸金