
氮化硅陶瓷為基底的印制電路板
板材類型:陶瓷板
板材層數(shù):4層
板材厚度:1.2mm
表面處理:化學(xué)沉金
最小線寬/線距:40mil/40mil
優(yōu)異的熱學(xué)性能:氮化硅陶瓷基板的熱導(dǎo)率可達(dá)90-120W/(mK),能快速導(dǎo)出器件熱量,避免熱積累導(dǎo)致的性能衰減。其低熱膨脹系數(shù)約為2.5-3.0×10負(fù)六次方/℃,與硅(Si)及碳化硅(SiC)襯底高度匹配,可減少熱失配應(yīng)力,提升封裝可靠性。此外,其抗熱震性能突出,即使在1000℃高溫下急劇冷卻再加熱,仍能保持結(jié)構(gòu)完整性。
卓越的機(jī)械性能:氮化硅的彈性模量達(dá)300-320GPa,接近金剛石,顯著高于氧化鋁、碳化硅等材料,在機(jī)械載荷下變形極小。其抗彎強(qiáng)度為600-800MPa,優(yōu)于氧化鋁,抗沖擊和熱應(yīng)力能力突出。
良好的化學(xué)穩(wěn)定性:氮化硅陶瓷化學(xué)性質(zhì)極為穩(wěn)定,在酸、堿及熔融金屬中保持穩(wěn)定,僅對濃氫氟酸(HF)敏感,適合在惡劣的化學(xué)環(huán)境中使用。同時,它在1400℃空氣中可長期使用,表面形成致密氧化硅層,阻止進(jìn)一步氧化。
第三代半導(dǎo)體封裝:適用于新能源汽車SiC功率模塊、光伏逆變器、5G基站射頻器件等,其高彈性模量保障封裝結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,低熱膨脹系數(shù)匹配SiC芯片,高導(dǎo)熱率可延長器件壽命。
高端電子器件散熱:可作為GPU、FPGA等高集成度芯片的散熱基板,在高頻振動環(huán)境下,如車載電子中,抗疲勞性能好,熱循環(huán)可靠性優(yōu)異。
半導(dǎo)體制造設(shè)備:可用于晶圓轉(zhuǎn)移吸盤、封裝模具等,其耐磨性顯著降低表面損傷風(fēng)險,絕緣性可避免電磁干擾。
航空航天與新能源:在航空發(fā)動機(jī)溫度傳感器基座、風(fēng)電變流器散熱系統(tǒng)等場景中,憑借耐極端溫度與抗腐蝕能力,適應(yīng)復(fù)雜環(huán)境。
板材類型:陶瓷板
板材層數(shù):4層
板材厚度:1.2mm
表面處理:化學(xué)沉金
最小線寬/線距:40mil/40mil
板材類型:陶瓷板
板材層數(shù):2層
板材厚度:0.25mm
表面處理:鍍金
板材類型:陶瓷板
板材層數(shù):2層
板材厚度:1.0mm
表面處理:硬金
最小線寬/線距:5mil
材料:陶瓷
板厚:1.6mm
最小線距/線寬:3/3mil
表面處理:沉浸金